在本届GTC大会上备受瞩目的Groq 3 LPU，已确认委托三星电子进行代工，预计采用4纳米工艺生产。

三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，Groq 3 LPU量产将于今年第三季度末或第四季度初开始，明年市场对该款芯片的需求有望实现进一步增长“早在2023年英伟达收购Groq之前，三星便已和Groq开始合作。”他补充道：“三星工程师直接参与其中，还协助了LPU的设计工作。”

日前分析师郭明錤发文称，在英伟达投资Groq之后，LPU的出货量预测已大幅上调。预计2026至2027年的总出货量将达到400万至500万颗。

此外，在存储领域，三星下一代HBM也取得了进展。

据Businesskorea今日报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片或采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示：“由于器件性能将不断提升，我们将继续把最先进的工艺应用于HBM5和HBM5E。”

受上述消息影响，今日三星电子跳空高开，涨幅一度扩大至6%。自本周以来，该公司已累计涨超11%。截至目前，其市值突破1370万亿韩元（约合9212亿美元）。

就在上个月，市场研究机构TrendForce集邦咨询曾指出，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证。

此前，三星电子抢先将领先于竞争对手的1c DRAM技术应用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圆代工的4纳米工艺制造了基础芯片。基于此，该公司稳定实现了业界领先的性能，并于上个月率先向英伟达供应了HBM4。

“三星的HBM4基础芯片也是采用4纳米工艺制造的，所以我认为未来对4纳米工艺的需求将大幅增长。”韩进万表示。

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