今日存储芯片股强势领涨市场，其中港股半导体标的与韩股存储巨头联动上扬。

截至发稿，澜起科技(06809.HK)涨6.09%、兆易创新(03896.HK)涨3.01%。

同期挂钩韩国芯片龙头的杠杆ETF同步飙升，两倍做多海力士(07709.HK)涨18.50%、两倍做多三星电子(07747.HK)涨12.54%。

首先来看一下韩股方面，韩国综合股价指数开盘涨超5%，截至发稿涨超6%，三星电子、SK海力士分别大涨9.80%、13.14%，成为市场核心驱动力。

核心催化：英伟达HBM4供应格局落地，量产时点与GTC大会共振

英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”高带宽内存(HBM4)供应链已明确：三星电子与SK海力士双双入选核心供应商。鉴于HBM4从晶圆制造至封装完成周期超六个月，两家厂商预计最快于本月启动量产，时间节点与3月17日开幕的英伟达GTC大会高度契合，市场对新品技术细节与供应链动向高度关注。

据行业消息，SK海力士将承接英伟达2026年包括HBM3E在内的逾半数HBM总供应量；三星电子则有望主导Vera Rubin专属HBM4业务。

集邦咨询预测，2026年SK海力士全球HBM比特产出份额为50%，较2025年59%回落；三星份额由20%升至28%，技术追赶与份额争夺态势显著。

价格走势：存储芯片延续强势，原厂控价能力凸显

2026年2月回顾：NAND涨势强劲，DRAM涨幅收窄

DRAM：现货价环比波动于-3%至+12%；DDR5-8Gb/DDR4-8Gb合约价分别环比+4%、+8%，涨幅较1月明显趋缓。

NAND Flash：现货价环比+10%至+26%，合约价大幅上行37%至67%，供需紧张持续。

需求展望：原厂集体释放乐观信号，AI算力基建成核心引擎

SK海力士：预计2026年DRAM与NAND比特需求同比增速分别超20%、15%至20%；当前库存仅约4周，坦言“全年客户需求无法完全满足”。

铠侠：指出NAND中长期需求将以约20%CAGR增长；超大规模云服务商长期协议已锁定至2027–2028年；2026年Q1营收指引环比增长55%至72%，显著超预期。

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